讲座时间：2026年5月7日（星期四）1班：8:50-10:25；2班：10:40-12:15
讲座地点：九里校区4教4104
主讲人：黄孝兵
主讲人简介：
黄孝兵，毕业于西南交通大学微电子学与固体电子学专业，科技部科技创新CEO特训营学员，科普专家、智库成员；曾任职国内通讯头部企业，擅长从产品到方案应用落地的场景打造，目前团队致力于功率半导体研究及应用。
内容简介：
碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的核心代表，凭借其优异的本征物理特性，打破了硅基器件的性能上限，成为功率半导体领域的技术革命方向。SiC功率半导体器件在耐压、耐高温、开关速度、能量损耗等关键指标上实现了数量级的提升，显著优化电力电子系统的能效、体积与可靠性，为能源转型与产业升级提供了全新的技术路径。同时随着材料、设计、封装测试等核心技术的不断突破，器件良率持续提升，广泛应用于新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、储能变流器、高压直流输电、工业控制等关键领域。国内，已初步形成了“材料—器件—模块—应用”的全产业链布局。本次交流，主要介绍SiC功率半导体面临着核心技术攻坚、成本控制、产业链协同等挑战，同时随着新能源产业扩张、政策支持、技术迭代的多重机遇，为技术发展及未来就业方向提供更多参考。
