ISPSD会议 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs) 是功率半导体器件和功率集成电路领域在国际上最重要、最具影响力的顶级学术会议，被认为是功率半导体器件和功率集成电路领域的奥林匹克。在ISPSD 2026征稿评审中，西南交通大学集成电路科学与工程学院的3篇论文获组委会录用接收。这是西南交通大学的研究成果首次入选。其中，以李旭老师为第一作者和宋文胜教授为通讯作者的论文2篇（主要围绕碳化硅(SiC)器件可靠性方向）；以蒋其梦教授为通讯作者的论文1篇（主要围绕氮化镓(GaN)器件设计方向）。
回顾功率半导体发展史，众多里程碑式发明与突破性技术大多在ISPSD会议上完成全球首秀。历届大会均是行业风向标，吸引着全球功率器件领军企业与顶尖科研机构参会。第38届ISPSD将于2026年5月24日至28日在美国拉斯维加斯举行。
集成电路学院3篇学术论文联袂入选功率半导体国际顶级会议，充分彰显了学院科研团队在功率半导体领域的发展潜力。集成电路学院将继续聚焦功率半导体及相关前沿领域，着力打造以功率半导体为特色的集成电路人才聚集地、创新策源地、产业新高地与国家级现代产业学院示范区。
